Vanadiinin epäpuhtauksien poistaminen titaanista

Titaaniputkien ja vanadiinin epäpuhtauksien kiehumispisteero ja suhteellinen haihtuvuus ovat suhteellisen pieniä. Esimerkiksi titaaniputki-VOCl3-sarjan kahden komponentin kiehumispisteero on 10 astetta ja suhteellinen haihtuvuus d=1.22; kun taas TC4-titaaniseosputki-VCl4-sarjan kaksi komponenttia Kiehumispisteero on 14 celsiusastetta. Siitä huolimatta on teoriassa mahdollista käyttää fysikaalisia menetelmiä vanadiinin epäpuhtauksien poistamiseen, kuten korkean hyötysuhteen tislauskolonneja vanadiinin poistamiseen. Tämän menetelmän etuna on, että se ei vaadi kemiallisten reagenssien käyttöä, jalostusprosessi on jatkuva ja helppo automatisoida ja erotettuja VOCl3:a ja VCl4:a voidaan käyttää suoraan. Haittoja ovat suuri energiankulutus, suuret laiteinvestoinnit ja tarve ratkaista suuritehoisen vedenkeittimen rakenne, jota ei ole vielä teollisuudessa sovellettu.

Lisäksi TC4-titaaniseosputki-V0Cl3-sarjan kahden komponentin jäätymispisteet ovat melko erilaisia, noin 54 celsiusastetta. Siksi VOCI3:n poistamiseen voidaan käyttää myös pakastekiteytysmenetelmää. Pakastaminen kuluttaa kuitenkin paljon energiaa, joten sitä ei ole käytetty teollisesti. Tästä syystä vanadiinin poistamiseen käytetään usein kemiallisia menetelmiä. Kemiallinen vanadiinin poisto tarkoittaa kemiallisen reagenssin lisäämistä titaaniputkeen VOCl3:n (tai VCl4:n) epäpuhtauksien selektiiviseksi vähentämiseksi tai saostamiseksi liukenemattoman alunayhdisteen muodostamiseksi, joka on vuorovaikutuksessa TC4-titaaniseosputken kanssa. Erottaminen on joko VoCl3:n (tai VCl4:n) selektiivistä adsorptiota vanadiiniepäpuhtauksien ja TC4-titaaniseosputkien erottamiseksi toisistaan; tai VOCl2:n selektiivinen liuottaminen alunaepäpuhtauksien ja 7icld:n erottamiseksi toisistaan. Voidaan sanoa, että ihanteellisempaa vanadiinin poistoprosessia yksinkertaisilla, pitkäikäisillä, edullisilla prosessilaitteistoilla, hyvillä työoloilla ja jatkuvan toiminnan helpolla toteutuksella ei ole vielä kehitetty. Tämä on myös aihe, jota on tutkittava TC4-titaaniseosputken jalostusprosessissa.